Жартылай өткізгіштер электрондық компоненттері TPS7A5201QRGRRQ1 Ic чиптері BOM қызметі Бір нүктеде сатып алу

Чиптерге шолу

(i) Чип дегеніміз не

IC ретінде қысқартылған интегралдық схема;немесе микросұлба, микрочип, микросхема электроникада схемаларды (негізінен жартылай өткізгішті құрылғылар, сонымен қатар пассивті компоненттер және т.б.) кішірейту тәсілі болып табылады және көбінесе жартылай өткізгіш пластиналар бетінде дайындалады.

(ii) Чиптерді өндіру процесі

Толық чип дайындау процесі чип дизайнын, пластинаны дайындауды, қаптаманы дайындауды және сынауды қамтиды, олардың ішінде вафельді дайындау процесі өте күрделі.

Біріншіден, чиптің дизайны, дизайн талаптарына сәйкес, генерацияланған «үлгі», чиптің шикізаты - вафли.

Вафли кремнийден жасалған, ол кварц құмынан тазартылған.Вафли - тазартылған кремний элементі (99,999%), содан кейін таза кремний кремний таяқшаларына айналады, олар интегралды схемалар үшін кварц жартылай өткізгіштерін өндіруге арналған материалға айналады, олар чиптерді өндіру үшін пластинкаларға кесіледі.Вафли неғұрлым жұқа болса, соғұрлым өнімнің өзіндік құны төмен болады, бірақ процесс соғұрлым көп талап етіледі.

Вафельді жабын

Вафельді жабын тотығуға және температураға төзімділікке төзімді және фоторезисттің бір түрі болып табылады.

Вафельді фотолитографияны дамыту және өрнектеу

Фотолитография процесінің негізгі ағымы төмендегі диаграммада көрсетілген.Алдымен пластинаның (немесе субстраттың) бетіне фоторезисттік қабат қолданылады және кептіріледі.Кептіруден кейін пластинаны литографиялық аппаратқа ауыстырады.Маскадағы үлгіні вафли бетіндегі фоторезистке проекциялау үшін жарық маска арқылы өтеді, бұл экспозицияны қамтамасыз етеді және фотохимиялық реакцияны ынталандырады.Содан кейін ашық вафлилер фотохимиялық реакция толық болатын экспозициядан кейінгі пісіру деп аталатын екінші рет пісіріледі.Соңында, ашық үлгіні әзірлеу үшін әзірлеуші ​​пластинаның бетіндегі фоторезистке шашырайды.Әзірлеуден кейін маскадағы үлгі фоторезистте қалады.

Желімдеу, пісіру және өңдеудің барлығы жабын әзірлеушіде орындалады, ал экспозиция фотолитографияда орындалады.Тақта әзірлеуші ​​және литографиялық машина әдетте кірістірілген түрде басқарылады, пластиналар робот арқылы блоктар мен машина арасында тасымалданады.Бүкіл экспозиция және даму жүйесі жабық және фоторезисттік және фотохимиялық реакцияларға қоршаған ортадағы зиянды компоненттердің әсерін азайту үшін пластиналар қоршаған ортаға тікелей әсер етпейді.

Қоспалармен допинг

Сәйкес P және N типті жартылай өткізгіштерді алу үшін пластинаға иондарды имплантациялау.

Вафельді сынау

Жоғарыда аталған процестерден кейін вафлиде сүйек торы пайда болады.Әрбір штамптың электрлік сипаттамалары түйреуіш сынағы арқылы тексеріледі.

Қаптама

Дайындалған пластиналар бекітілген, түйреуіштерге байланған және талаптарға сәйкес әртүрлі пакеттерге салынған, сондықтан бір чиптің өзегін әртүрлі тәсілдермен буып-түйуге болады.Мысалы, DIP, QFP, PLCC, QFN және т.б.Мұнда ол негізінен пайдаланушының қолдану әдеттерімен, қолданбалы ортамен, нарық форматымен және басқа перифериялық факторлармен анықталады.

Сынау, орау

Жоғарыда көрсетілген процестен кейін чип өндірісі аяқталды.Бұл қадам чипті сынау, ақаулы өнімдерді жою және оны орау болып табылады.

Вафли мен чипсы арасындағы байланыс

Чип бірнеше жартылай өткізгіш құрылғылардан тұрады.Жартылай өткізгіштер негізінен диодтар, триодтар, өріс әсерінің түтіктері, шағын қуатты резисторлар, индукторлар, конденсаторлар және т.б.

Бұл көп (электрондар) немесе бірнеше (тесіктерден) оң немесе теріс заряд алу үшін атом ядросының физикалық қасиеттерін өзгерту үшін дөңгелек ұңғымадағы атом ядросындағы бос электрондардың концентрациясын өзгерту үшін техникалық құралдарды пайдалану. әртүрлі жартылай өткізгіштер түзеді.

Кремний мен германий жиі қолданылатын жартылай өткізгіш материалдар және олардың қасиеттері мен материалдары осы технологияларда пайдалану үшін көп мөлшерде және арзан бағамен оңай қол жетімді.

Кремний пластинасы көптеген жартылай өткізгіш құрылғылардан тұрады.Жартылай өткізгіштің функциясы, әрине, қажет болған жағдайда тізбекті құру және кремний пластинасында болуы.